市場(chǎng)需求一款能夠與GaN芯片尺寸相匹配的單層陶瓷電容
在將GaN芯片與單層陶瓷電容打線接合時(shí),由于GaN芯片的輸出功率非常強(qiáng)大,為了能匹配與之相應(yīng)的需求,一般會(huì)用多根引線進(jìn)行調(diào)整。而由于市場(chǎng)上主流的GaN芯片都以矩形為主,所以電容的長(zhǎng)度必須要與GaN芯片所吻合。但是單層陶瓷電容的制作對(duì)長(zhǎng)寬比有限制要求,所以需生產(chǎn)一款能夠與之尺寸匹配的電容并非易事

(↑目前為止的匹配方法。必須使用復(fù)數(shù)的電容與之匹配)
「高長(zhǎng)寬比矩形電容」減少配件數(shù)量
Tecdia成功研制出了能夠與GaN芯片尺寸完美匹配的矩形單層陶瓷電容。一般來(lái)說(shuō)電容的長(zhǎng)寬極限比為1:3,而突破這層極限調(diào)整比例為 1:6的話不但可以免去使用多個(gè)電容排列,同時(shí)還能夠減少部件的封裝數(shù)量,降本增效。

能夠滿足顧客需求的設(shè)計(jì)能力與打破常規(guī)設(shè)計(jì)的產(chǎn)品制造技術(shù)
由于單層陶瓷電容的高長(zhǎng)寬比的設(shè)計(jì),會(huì)給制造上帶來(lái)諸多不便。例如在切割過(guò)程中容易碎裂,金膜容易脫落等等。而Tecdia獨(dú)有的加工技術(shù)能夠有效控制切割過(guò)程中的易碎問(wèn)題,并在設(shè)計(jì)時(shí)采用表面留邊,使金膜能夠從表層滲透進(jìn)入內(nèi)側(cè)從而杜絕脫落的問(wèn)題。同時(shí)聆聽(tīng)顧客關(guān)于熱膨脹可能引起產(chǎn)品彎曲破裂等反饋,將底面改變成無(wú)鍍金設(shè)計(jì)。
省去了縱向同時(shí)封裝多個(gè)電容的繁瑣,為顧客實(shí)行降本增效做出貢獻(xiàn)
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